Zabudnuté heslo?
Prihlásenie

Samsung spúšťa výrobu 512 GB vstavaných čipov pre smartfóny

Samsung spúšťa výrobu 512 GB vstavaných čipov pre smartfóny
Autor:
Roman Mališka
Zverejnené:
6. 12. 2017
Hodnotenie:
Už ste hlasovali.

Juhokórejský Samsung začal s masovou produkciou nových vstavaných čipov Universal Flash Storage (eUFS), ktoré by mali zvýšiť kapacitu budúcich smartfónov na 512 GB. Čipy môžu údajne zdvojnásobiť hustotu úložného priestoru pri zachovaní rovnakej fyzickej veľkosti ako predchádzajúca generácia.

Spoločnosť Samsung už niekoľko rokov vyrába takzvané V-NAND zariadenia, inak povedané, trojrozmerné úložné pamäťové čipy. Toto najnovšie zariadenie pozostáva z ôsmych 64-vrstvových čipov V-NAND a z jedného riadiaceho čipu, čím sa podarilo zvýšiť úložnú kapacitu eUFS jednotky až na 512 GB. Je to dvojnásobný nárast kapacity oproti predchádzajúcemu modelu, ktorý obsahoval 48 V-NAND vrstiev.

Podľa informácií od výrobcu, používateľ môže na eUFS jednotku uložiť približne 1 300 minút videa v rozlíšení 4K, čo je asi 10 krát viac ako je možné ukladať do najnovšieho smartfónu Samsung Galaxy S8.

Samsung spúšťa výrobu 512 GB vstavaných čipov pre smartfóny

Nový vstavaný čip eUFS dokáže tiež rýchlejšie zapisovať a čítať dáta, pričom dosahuje maximálnu rýchlosť sekvenčného čítania 860 MB / s a rýchlosť zápisu až 255 MB / s. Podľa Samsungu to znamená, že video súbor vo veľkosti 5 GB môže byť prenesené na SSD disk asi za šesť sekúnd. Aktualizácie sa dočkala aj technológia správy napájania, čím sa podarilo udržať zvýšenie spotreby energie na minime.

Spoločnosť Samsung plánuje masívne vyrábať tieto nové 512 GB V-NAND čipy, aby pokryla dopyt, rovnako ako chce aj zvýšiť produkciu existujúceho modelu s kapacitou 256 GB.

Samsung spúšťa výrobu 512 GB vstavaných čipov pre smartfóny