Zabudnuté heslo?
Prihlásenie

Samsung: 128GB 3bit NAND Flash úložisko

Samsung: 128GB 3bit NAND Flash úložisko
Autor:
Roman Mališka
Zverejnené:
30. 3. 2015
Hodnotenie:
Už ste hlasovali.

Spoločnosť Samsung predstavuje vysoko výkonné 128GB 3bit NAND úložisko pre mobilné zariadenia, ktoré je založené na technológii Embedded MultiMediaCard (eMMC) 5.0. Vlajkové lode medzi smartfónmi už prechádzajú na 128GB pamäťové úložiská na štandardoch Universal Flash Storage (UFS) 2.0 alebo EMMC 5.1.

Rovnako aj smartfóny strednej kategórie budú teraz môcť zvýšiť svoju kapacitu na 128 GB vďaka novému úložisku Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Tento pamäťový čip má najväčšiu kapacitu v rámci štandardu eMMC 5.0.

Sekvenčné čítanie dát nového 128GB eMMC 5.0 úložiska od spoločnosti Samsung prebieha rýchlosťou 260 MB/s. Ide o rovnaký výkon ako v prípade pamäti MLC eMMC 5.1 na báze NAND.

Náhodný výkon čítania a zápisu je 6000 IOPS, resp. 5000 IOPS, čo je dostačujúca rýchlosť pre podporu videí s vysokým rozlíšením a pre pokročilé multitaskingové funkcie. V porovnaní s externými pamäťovými kartami sú tieto rýchlosti čítania a zápisu približne 4-krát a 10-krát vyššie.

Nová séria 3bit pamäťových úložísk eMMC 5.0 rozširuje oblasť podnikania spoločnosti Samsung z dodania SSD diskov pre dátové centrá, servery a počítače až na celý trh mobilných pamäťových úložísk.

(Zdroj: Tlačová správa Samsung)

Podobné články